IS43DR86400E-3DBL
制造廠商:ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc. 芯成半導體)
類別封裝:存儲器,產品封裝:60-TFBGA
技術參數(shù):IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TWBGA
(專注銷售ISSI電子元器件,承諾原裝!現(xiàn)貨當天發(fā)貨!)
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參數(shù)詳情:
制造商產品型號:IS43DR86400E-3DBL制造商:ISSI, Integrated Silicon Solution Inc描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TWBGA產品系列:存儲器包裝:托盤系列:-零件狀態(tài):有源存儲器類型:易失存儲器格式:DRAM技術:SDRAM - DDR2存儲容量:512Mb(64M x 8)存儲器接口:并聯(lián)時鐘頻率:333MHz寫周期時間-字,頁:15ns訪問時間:450ns電壓-供電:1.7V ~ 1.9V工作溫度:0°C ~ 85°C(TC)安裝類型:表面貼裝型產品封裝:60-TFBGAIS43DR86400E-3DBL的訂貨細節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量,歡迎跟我們的銷售代表確認。
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