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IS61NLP25636B-200B3LI-TR供應(yīng)商
IS61NLP25636B-200B3LI-TR
制造廠商：ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc. 芯成半導(dǎo)體）
類別封裝：存儲器，產(chǎn)品封裝：165-TBGA
技術(shù)參數(shù)：IC SRAM 9MBIT PARALLEL 165TFBGA
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參數(shù)詳情：
制造商產(chǎn)品型號：IS61NLP25636B-200B3LI-TR制造商：ISSI, Integrated Silicon Solution Inc描述：IC SRAM 9MBIT PARALLEL 165TFBGA產(chǎn)品系列：存儲器包裝：卷帶（TR）系列：-零件狀態(tài)：有源存儲器類型：易失存儲器格式：SRAM技術(shù)：SRAM - 同步，SDR存儲容量：9Mb（256K x 36）存儲器接口：并聯(lián)時鐘頻率：200MHz寫周期時間-字，頁：-訪問時間：3.1ns電壓-供電：3.135V ~ 3.465V工作溫度：-40°C ~ 85°C（TA）安裝類型：表面貼裝型產(chǎn)品封裝：165-TBGAIS61NLP25636B-200B3LI-TR的訂貨細節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量，歡迎跟我們的銷售代表確認。
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